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  1. 列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO

  2. 报道了采用列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4晶体的KTP腔内倍频绿光激光器。采用多柱透镜法,对列阵半导体激光进行了有效整形,并利用谐振腔折叠产生的像散,实现了抽运光与振荡光较好的模式匹配;由于是直接耦合抽运,因此保证了半导体抽运光以π偏振光入射Nd∶YVO4(单轴)晶体,实现了半导体抽运光与Nd∶YVO4吸收的偏振匹配。在抽运功率为9.5 W时,得到520 mW的稳定绿光输出,光-光转换效率为5.5%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：575488
    • 提供者：weixin_38655767

  1. 自聚焦透镜耦合激光二极管抽运Nd:YVO

  2. 设计了一种简单有效的折叠腔，采用具有部分透过率的平面反射镜作为谐振腔的腔镜，实现了激光的单路输出，提高了激光器输出的利用率，增强了激光器的实用性。利用计算机编程分析了谐振腔内元件的参数对腔内光斑分布的影响。利用自聚焦透镜对激光二极管(LD)进行整形，实现了端面抽运Nd:YVO4半导体可饱和吸收镜(SESAM)连续波锁模稳定运转。在抽运功率为3 W时，获得了平均功率为800 mW，脉冲宽度为5.2 ps的锁模脉冲，光光转换效率为27%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38545923

  1. 914 nm LD端面抽运Nd:YVO

  2. 采用Nd:YVO4晶体带内抽运波长914 nm，降低激光二极管(LD)连续抽运时晶体的热负荷和端面热应力，提高高重复频率Nd:YVO4皮秒再生放大器输出性能。研究分析了普克尔盒加压脉宽对工作频率为100 kHz的Nd:YVO4再生放大器输出脉冲稳定性的影响，在吸收914 nm抽运功率为68 W，通过控制普克尔盒加压脉宽，实现了对单脉冲能量为1 nJ、脉宽为5.7 ps、频率为42.7 MHz的全固态Nd:YVO4半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模种子激光脉冲的稳定的100 kHz皮秒激光再生放

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38675777

  1. 半导体激光端面抽运Nd:YVO

  2. 报道了采用激光二极管端面抽运a轴切割的Nd:YVO4晶体自拉曼和频激光的实验研究。从谐振腔结构、晶体膜系以及和频晶体的选择方面对激光系统进行了设计，对连续运转和声光调Q下和频激光器的性能进行了研究。以KTP晶体为和频晶体，在12 W的抽运功率下，获得了580 mW的558.6 nm连续黄绿激光输出，光光转化效率为5%。在17.5 W的抽运功率和30 kHz的声光调Q重复频率下，获得了最高平均功率为1.71 W、脉冲宽度为21 ns的黄绿激光输出，光光转化效率为9.8%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38625184

  1. 激光二极管抽运的Nd:YVO

  2. 报道了激光二极管端面抽运Nd:YVO4半导体材料GaAs被动调Q激光器运转.测量了不同透过率输出镜条件下,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率.在抽运功率为4W时,得到了脉宽为30 ns、能量为8 μJ、重复率为60kHz的稳定的调Q脉冲.还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38732277

  1. 激光二极管侧抽运长方形Nd:YVO

  2. 以解析分析理论为基础, 研究长方形Nd:YVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光侧端面抽运时, 晶体温度场和热形变的分布情况。通过对激光二极管(LD)侧面抽运晶体工作特点分析, 建立了符合实际工作情况的热模型, 利用正交各向异性材料热传导方程, 得出长方形Nd:YVO4晶体温度场和热形变场通解表达式, 并提出了两种有效减小晶体热形变的方法。研究结果表明, 当使用输出功率为30 W的激光二极管侧面中心抽运Nd:YVO4激光晶体时, 在抽运端面中心获得240.0 ℃最高温升和4.73 μm最大热形

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：691200
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 全固态高输出功率单频Nd:YVO

  2. 利用光纤耦合输出的半导体激光器(LD)端面抽运Nd:YVO4晶体,激光谐振腔采用四镜环形腔结构,通过KTP晶体内腔倍频,获得了高功率全固态连续单频绿光激光输出。根据临界相位匹配下椭圆高斯光束的倍频理论,通过旋转Nd:YVO4晶体的方向选取合适的基频光偏振方向,使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔弧矢面平行,可提高内腔倍频转换效率。当抽运功率为20 W时,激光器最大单频绿光输出功率达4.8 W。作为对比,控制基频光偏振方向使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔子午面平行时,激光器最大单频绿光输出功率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：649216
    • 提供者：weixin_38740596

  1. 半导体薄膜实现Nd:YVO

  2. 采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜，测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064 nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd:YVO4双波长激光器速率方程，得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd:YVO4激光器中，SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q，获得20 ns的1064 nm激光脉冲和19 ns的1342 nm激光脉冲输出。研究表明，薄膜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38691482

  1. 20 MHz紧凑型高功率被动锁模Nd:YVO

  2. 报道了谐振腔长达7.5 m的紧凑型被动锁模激光器，通过谐振腔的折叠设计，整个激光器被压缩为55 cm长，15 cm宽。采用二极管端面抽运Nd:YVO4晶体，经半导体可饱和吸收镜被动锁模后激光再一次通过增益晶体放大后输出。在重复频率为20 MHz时，输出激光脉冲宽度为14.2 ps，最大输出功率6.14 W,输出激光为1064 nm的基横模(TEM00)；单脉冲能量达0.3 μJ。较长的谐振腔保证了良好的光束质量，光束质量因子M2在X方向为1.17，Y方向为1.06，功率不稳定性为0.5%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38706007