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  1. 基础电子中的量子阱激光器

  2. 量子尺寸效应最实际的应用是量子阱（MQW）及用量子阱所得到的各种半导体器件，量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为SQW（Single Quantum Well）；由多个势阱构成的量子阱结构为多量子阱，简称为MQW（Multiple Quantum Well），如图所示。 　　图 量子阱激光器能带结构示意图 　　同常规的激光器相比，量子阱激光器具有以下特点： 　　（1）在量子阱中，态密度呈阶梯状分布，量子阱中首先是E1c和E1v之

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38653085

  1. 选择性区域金属有机气相外延生长的InGaAs / InP多量子阱纳米线的径向生长演化

  2. 通过选择性区域外延（SAE）进行的III–V半导体多量子阱纳米线（MQW NW）对于开发用于光通信，硅光子学和量子计算等应用的纳米级发光器件非常重要。 为了获得高效的发光器件，不仅高质量的材料，而且对其生长机理和材料特性（结构，光学和电学性质）的深刻理解也至关重要。 尤其是，通过SAE嵌入在NW结构中的MQW的三维生长机理预计与在平面结构中或通过催化剂生长的MQW的三维生长机理不同，并且尚未进行深入研究。 在这项工作中，我们揭示了通过SAE金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的InGaAs /

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：643072
    • 提供者：weixin_38660108

  1. 基于量子阱半导体光放大器的波长转换中图案效应的偏振依赖性

  2. 基于量子阱半导体光放大器的波长转换中图案效应的偏振依赖性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：405504
    • 提供者：weixin_38740130

  1. 通过量子相干在半导体量子阱中的缓慢传播

  2. 通过量子相干在半导体量子阱中的缓慢传播

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：290816
    • 提供者：weixin_38662367

  1. 相控增益辅助慢光在三耦合量子阱中的传播

  2. 利用薛定inger方程研究了低强度光脉冲在三耦合半导体量子阱中的传播。 在该系统中观察到相位控制的缓慢的光传播，几乎没有增益。 由于其灵活的设计和宽泛的可调参数，这种半导体系统比其原子对应系统更好。 对属性的这种研究可能会提供一种实现慢光的新方法，并导致在高保真光学延迟线和光学缓冲器中的重要应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：386048
    • 提供者：weixin_38712092

  1. 半导体量子阱中可调节的电磁感应透明度和吸收率，光控相门

  2. 半导体量子阱中可调节的电磁感应透明度和吸收率，光控相门

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：660480
    • 提供者：weixin_38631331

  1. 掩埋横结型多重量子阱半导体激光器

  2. 日本工业技术光电子技术综合研究所与三菱化成公司合作，研制成杂散电容低达0.04 pF掩埋横结型多重量子阱半导体激光器(TJ-BH-MQW-LD)。采用横结型结构能将场效应晶体管等集成在同一芯片上，低杂散电容可导致高速工作，同一芯片兼有发光和受光两种功能。预计可用于具有超高速多重信号的解调、放大、运算等功能的光电子集成电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38746918

  1. 耦合半导体双量子阱中光学双稳态的相干调控

  2. 在一个具有三能级V 型能级结构的耦合半导体双量子阱中，研究了相干调控下光学双稳态以及双稳态与多稳态的转化行为。研究结果表明，在此物理模型下，光学双稳态的阈值强烈依赖于系统中的非相干抽运强度和存在自发辐射相干下的相对相位，同时，通过调制相位大小，可使系统出现光学双稳态和多稳态之间的相互转换。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38684335

  1. 980nm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析

  2. 设计了一种新型的980 nm底发射光抽运垂直外腔面半导体激光器(OPS-VECSEL),对比分析计算了器件在单个谐振周期内不同量子阱数目下的性能。得到了在单阱条件下,阈值光功率密度为5 kW/cm2时,输出功率超过1.8 W,斜率效率超过40%的优异性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：488448
    • 提供者：weixin_38590784

  1. 电场和阶梯势垒对半导体阶梯量子阱中氢杂质态的影响

  2. 在有效质量近似的基础上，从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明，电子和杂质态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱导了供体结合能的不对称分布。 当以与阶梯势垒层的生长方向相反的方向施加电场时，电场对具有任意阶梯势垒高度的阶梯式量子阱中任意位置处的杂质的施主结合能具有显着影响。 然而，当沿着阶梯状势垒层的生长方向施加电场时，位于任何杂质位置的杂质的施主结合能对阶梯状QW中阶梯状势垒高度的变化不敏感。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38654380

  1. 非线性Franz–Keldysh效应：半导体量子阱中的双光子吸收

  2. 非线性Franz–Keldysh效应：半导体量子阱中的双光子吸收

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38558186

  1. 焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响

  2. 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响。模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点。随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高。位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：893952
    • 提供者：weixin_38538472

  1. Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

  2. 杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口, 提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源, 采用闭管扩散方式, 在550 ℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现, 随着扩散时间从20～120 min, 样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加, 峰值波长蓝移53 nm; 当扩散时间超过60 min后, 样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰, 同时还出现了红移峰, 峰值波长红移32 nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的Al

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性

  2. 在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜.在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱.通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰.从发光谱中可见,在520 nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38618784

  1. 1.3 μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

  2. 采用低压金属有机化学气相外延法(LP-MOVPE)生长并制作了1.3 μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器(SOA),有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4C3T)结构,压应变阱宽为6 nm,应变量1.0%,张应变阱宽为11 nm,应变量-0.95%;器件制作成7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3O5/Al2O3减反(AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至3×10-4以下;在200 mA驱动电流下,光放大器放大的自发辐射(ASE)谱的3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：644096
    • 提供者：weixin_38548507

  1. 新型多量子阱被动锁模半导体激光器噪声分析

  2. 对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明,被动锁模半导体激光器(MLLDs) 的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成,分别由光场的振幅、频率和载流子的相位噪声等所致的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38657115

  1. 量子调控半导体量子阱微结构中光学克尔非线性研究

  2. 简要介绍在非对称双量子阱结构中获取克尔非线性增强的方案,其中包括利用Fano干涉实现自相位调制增强以及隧穿诱导大交叉相位调制。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：690176
    • 提供者：weixin_38733885

  1. 量子阱结构光开关

  2. 光开关与半导体激光器和接收元件一起构成光集成回路的三要素，东京工业大学工学部的末松安晴教授等人，提出利用半导体量子阱结构制作可实现超小型、超音速幵关的全反射型光开关的方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38637764

  1. 基于太赫兹半导体量子阱器件的光电表征技术及应用

  2. 光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者在太赫兹脉冲功率测量、探测器响应率标定等光电表征技术中的应用及其在太赫兹快速调制与探测、太赫兹扫描成像系统中的应用,最后介绍了太赫兹光电表征技术的改善,包括激光源光束质量改善和探测器有效探测面积的提高方法等,并给出了器件及表征技术的潜在应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：weixin_38736529

  1. 采用半导体量子阱薄膜实现Nd∶YAG激光器被动锁模

  2. 采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底上低温生长6个周期的InGaAsP多量子阱薄膜, 薄膜对1.06 μm激光的小信号透过率为23%。该薄膜兼作Nd∶YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜, 实现1.064 μm激光的被动锁模运转, 获得平均脉宽23 ps, 能量15 mJ的单脉冲序列。采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备4个周期的Si/SiNx多量子阱薄膜, 样品在氮气环境下以1000 ℃退火30 min后, 插入Nd∶YAG激光器腔内, 实现1.064 μm激光的被动锁模, 获

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：1010688
    • 提供者：weixin_38705788
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