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  1. RELAY-SPDT单刀双掷继电器封装以及datasheet说明

  2. 本文件包含了单刀双掷继电器RELAY-SPDT的封装，以及pdf文本，如果有尺寸不符合要求，在原来的基础上修改即可。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-08
    • 文件大小：241664
    • 提供者：meilingling2008

  1. 单刀双掷开关芯片

  2. 单刀双掷开关芯片，替代型号NLAS4157（ON）。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-12-29
    • 文件大小：181248
    • 提供者：cc1100111

  1. HF3FF与HF3FD系列 5脚 单刀双掷继电器封装及其应用说明-HF3FF_D.rar

  2. HF3FF与HF3FD系列 5脚 单刀双掷继电器封装及其应用说明-HF3FF_D.rar

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：3072
    • 提供者：weixin_38744207

  1. CH440G 4单刀双掷低阻模拟开关芯片 CH440G与 CH440E 优惠促销中-CH444G.zip

  2. CH440G 4单刀双掷低阻模拟开关芯片 CH440G与 CH440E 优惠促销中-CH444G.zip

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 单刀双掷模拟开关

  2. 单刀双掷模拟开关 手机的元器件 圣邦微电子

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-12-07
    • 文件大小：427008
    • 提供者：xhbqxw

  1. CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计

  2. 提出了应用0.13 ?滋m CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz有33～51 dB的隔离度。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38569166

  1. 典型单刀双掷（SPDT）PF开关电路图

  2. 本文给大家分享了一个典型单刀双掷（SPDT）PF开关电路图。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38716460

  1. CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计

  2. 提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz有33～51 dB的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180 μm2。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：314368
    • 提供者：weixin_38605538

  1. 基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

  2. 0 引言 　　PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点，特别适合于制作性能优异的宽带大功率控制电路。文献[1]就是采用GaAs PIN二极管制作了一款宽带大功率单刀双掷开关，但由于是混合集成电路形式，导致开关模块体积较大。 　　本文采用河北半导体研究所GaAs PIN工艺成功开发出一款宽带大功率单片单刀双掷开关。该单片开关集成了GaAs PIN二极管、电容、电感和电阻元件。在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38698927

  1. Vishay推出DG469/470新型高压单/双电源单刀双掷模拟开关

  2. Vishay推出两款新型高压单、双电源单刀双掷(SPDT)模拟开关。该DG469和DG470器件是相同的，不同之处是DG470带有启动引脚，该引脚可将所有开关置于高阻抗状态，从而在启动时可保持“安全状态”并可防止意外信号或电源短路。 　　这些新型开关专门针对以下方面进行了优化：音频设备、自动测试设备、工业设备、通信系统、xDSL调制解调器、汽车与航空电子系统以及医疗设备中的音视频信号转换、取样与保持系统、高精度数据获得、继电器替代及电源路由(power routing)。 　　对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38688855

  1. Broadchip新推四路单刀双掷模拟开关BCT4699

  2. Broadchip(广芯电子（上海）科技有限公司)推出了该公司首款四路单刀双掷模拟开关产品BCT4699，用于便携设备的音频、电源、通讯信号的切换，可以与Fairchild FSA2467、Pericom PI3A412完全兼容。最低的导通电阻和漏电流非常好地满足了便携电子产品低功耗需求，并具有很好的电阻平坦度和快速的切换速度，广泛应用于手机、GPS及其它消费类电子市场。 　　BCT4699的工作电压为1.6～4.2V，导通电阻0.3Ω2.7V，漏电流Ioff 20nA，Ion 20nA，静

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38657115

  1. Broadchip推出双路单刀双掷模拟开关BCT4684/4735

  2. Broadchip(广芯电子（上海）科技有限公司)在其首款四路单刀双掷模拟开关BCT4699之后，迅速推出了双路单刀双掷模拟开关产品BCT4684/BCT4735，用于便携设备的音频、电源、通讯信号的切换，BCT4684可以与Fairchild FSA2267、Pericom PI5A4684完全兼容，BCT4735可以与MAX4735完全兼容。最低的导通电阻和漏电流非常好地满足了便携电子产品低功耗需求，并具有很好的电阻平坦度和快速的切换速度，广泛应用于手机、GPS及其它消费类电子市场。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38589314

  1. Broadchip推出首款四路单刀双掷模拟开关产品BCT4699

  2. Broadchip(广芯电子（上海）科技有限公司)推出了该公司首款四路单刀双掷模拟开关产品BCT4699，用于便携设备的音频、电源|稳压器、通讯信号的切换，可以与Fairchild FSA2467、Pericom PI3A412完全兼容。最低的导通电阻和漏电流非常好地满足了便携电子产品低功耗需求，并具有很好的电阻平坦度和快速的切换速度，广泛应用于手机、GPS及其它消费类ic37。 　　BCT4699的工作电压为1.6～4.2V，导通电阻0.3Ω2.7V，漏电流Ioff 20nA，Ion 20

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-20
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38741195

  1. 圣邦推出适用于音频和高速信号切换的单刀双掷模拟开关

  2. 圣邦微电子最近新推出一款适用于音频和高速信号切换的单刀双掷模拟开关SGM3157。该产品具有300MHz的高带宽以及4.5Ω的低导通电阻，并且拥有优异的导通电阻稳定性，该特性使得它在切换音频信号时可以保证杰出的线性和低失真，大大提高了声音的输出效果。SGM3157的高带宽特性使得它可以用于高速信号切换。 　　SGM3157的工作电压是1.8V～5.5V，电压在5.0V时电阻的典型值为4.5Ω。并且该产品具有很高的通道隔离度（f=10MHz时，crosstalk为-51dB）和快速的切换时间（t

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38736721

  1. Vishay推出双单刀双掷单片模拟开关DG2731/2/3

  2. Vishay推出三款双单刀双掷 (SPDT) 单片 CMOS 模拟开关：DG2731/2/3，这些器件在尺寸较小的封装中结合了　低工作电压范围及低导通电阻额定值，它们主要面向便携式及电池供电终端产品中的信号路由应用。 　　这些新型 DG2731、DG2732 及 DG2733 模拟开关可用于手机、PDA、便携式媒体播放器、扬声器耳机、硬盘驱动器及调制解调器。 　　这三款新型模拟开关在 1.6V～4.3V 的单电源工作电压范围内工作，在最大功率时它们的导通电阻值仅为 0.4 欧姆，而 del

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38516190

  1. Maxim推出四路单刀/双掷模拟开关MAX4910

  2. Maxim推出四路、单刀/双掷(SPDT)模拟开关MAX4910。该开关采用单电源供电，却能够处理负信号，从而减少了外部元件数量并改善了音质。 　　MAX4910集成了对地并联电阻。开关的未接端口上常常积聚容性电荷，该设计可将电荷释放到地，从而降低了杂音。此外，0.37 的极低导通电阻、0.35 的导通电阻平坦度、以及0.05%的总谐波失真特性，可确保提供出色的音质。 　　MAX4910工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围，采用3mm x 3mm、16引脚TQFN封装。起价为$1.34 (

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38722874

  1. 新型双单刀双掷模拟开关NLAS5223

  2. NLAS5223是安森美公司最近推出的新器件，是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中，有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点：工作电压低，VCC=1.65～3.6V（型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口，型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口）；低功耗，最大的静态电流为±1μA （25℃）；传输电流大，每一个开关可连续传输±300mA电流；开关的导通电阻小，在VCC=3.0   ±0.3V时，其导通电阻RDS(on)<0.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38690017

  1. 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计

  2. 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38662122

  1. 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计

  2. 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 集成带通响应的微波单刀双掷T / R开关

  2. 集成带通响应的微波单刀双掷T / R开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：329728
    • 提供者：weixin_38693967
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