单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料，在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件，对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化，n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3，p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时，太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响，发现界面态密度超过1011 cm-2·eV-1时会严重