1. 倍波长法测温中的比辐射率修正方法 2. 科学级CCD X光探测中PCI9030接口芯片的应用 3. 利用低帧频光机扫描获取高时间分辨率的新方法 4. 碲镉汞红外探测器的PSPICE模型 5. 微波治疗仪中的温度监测 6. 2048焦平面制冷系统 7. 用一种新方法生长的截止波长10μm以上的InAsSb 单晶 8. 3-5 μm室温探测器用InAs/InAsSb 和InAs/InAsPSb 的液相外延生长 9. 航空高光谱遥感数据用于江河水质分类研究 10. 一种用于近红外高精度光辐射定

摘 要：介绍了制备InP单晶材料的主要方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。对这些方法进行了分析和对比，指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。InP是最早被制备出的Ⅲ－Ⅴ族化合物。随着当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电池的快速发展，InP的一系列优越性得以发挥，也引起人们越来越多的关注。现代石英光纤在通信中最小的损耗是在1.30～1

表述了从室温到1800℃测温范围的全程测温的蓝宝石单晶光纤温度传感器。该光纤传感器综合了光纤辐射测温技术和光纤荧光测温技术的特点,利用特殊生长的端部Cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,使两者有机地结合,实现用单一光纤传感头达到大范围的温度测量。介绍了端部掺杂的蓝宝石单晶光纤的生长方法,分析了它的荧光温度特性、光纤传感头上荧光信号与热辐射信号的相互干扰以及光纤温度传感器的系统结构和工作原理,给出了实验结果

美国Laser Genics公司宣布，它与斯坦福大学签订了生长单晶光纤专利技术的专有许可协议。单晶光纤特别适合于非线性光学器件，其效率由于相互作用长度长和波导结构中的严密光束限制而大大增加。晶体光纤对谐波产生、混频、参量振荡和电光调制等二次相互作用是理想的。