意法半导体(ST)公司日前推出了第一批采用该公司独有的MDmesh高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比，新一代产品的效率明显提升，在新的电源转换器设计中，能够大幅度降低成本，提高系统可靠性。 ST的多重漏极网格(MDmesh)工艺采用一个创新的漏极结构，漏极是由隔离物组成的阵列结构，纵向的p-型漏极条作为漏极体的延伸，沿很薄的水平n-型源极条排列。除极低的通态电阻外，这种漏极结构还