本文介绍的单片集成电容式压力传感器，传感器电容结构由多晶硅／栅氧／n阱硅构成，并通过体硅腐蚀和阳极键合等后处理工艺完成了电容结构的释放和腔的真空密封。接口电路基于电容一频率转化电路，该电路结构简单，并通过“差频”，消除了温漂和工艺波动的影响，具有较高的精度。 此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。

1 引 言 　　单片集成是MEMS传感器发展的一个趋势，将传感器结构和接口电路集成在一块芯片上，使它具备标准IC工艺批量制造、适合大规模生产的优势，在降低了生产成本的同时还减少了互连线尺寸，抑制了寄生效应，提高了电路的性能。 　　本文介绍的单片集成电容式压力传感器，传感器电容结构由多晶硅／栅氧／n阱硅构成，并通过体硅腐蚀和阳极键合等后处理工艺完成了电容结构的释放和腔的真空密封。接口电路基于电容一频率转化电路，该电路结构简单，并通过“差频”，消除了温漂和工艺波动的影响，具有较高的精度。 　　2

单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计、电子技术,开发板制作交流