通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)和多值存储原理的研究，提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器，并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储；其次结合读写共用的单端口方法，减少互连线数量；然后采用隔离和切断交叉耦合技术，增强三值数据存储的稳定性；最后通过HSPICE仿真，结果表明所设计的电路逻辑功能正确，且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%
Linear推出自主式单通道供电设备（PSE）控制器 LTC4263，该器件具有片上 MOSFET，用于符合 IEEE 802.3af 以太网供电（PoE）标准的系统。这个集成电路仅需少数几个外部组件，是一个完整的单端口 PSE 解决方案以进行检测、分类和向连接到该集成电路的受电设备（PD）提供隔离的 48V 电源。LTC4263 提供符合标准的 AC 或 DC 方法，用来检测 PD 的去除，同时具有先进的片上控制算法，而且在无需处理器干预的情况下，可对所有需要的任务提供自主式操作。
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凌力尔特公司推出自主式单通道供电设备（PSE）控制器 LTC4263，该器件具有片上 MOSFET，用于符合 IEEE 802.3af 以太网供电（PoE）标准的系统。这个集成电路仅需少数几个外部组件，是一个完整的单端口 PSE 解决方案以进行检测、分类和向连接到该集成电路的受电设备（PD）提供隔离的 48V 电源。LTC4263 提供符合标准的 AC 或 DC 方法，用来检测 PD 的去除，同时具有先进的片上控制算法，而且在无需处理器干预的情况下，可对所有需要的任务提供自主式操作。
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