内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL

3 场效应管的主要参数及选用： 　　为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。 表1　场效应管主要参数及含义 　　场效应管的选用应注意以下几点。 　　(1) 场效应管的I D 的参数按电路要求选取，能满足功耗要求并略有裕量即可，不要认为越大越好，I D越大，C GS 也越大， 对电路的高频响应及失真不利，如I D 为2 A 的管子，C GS 约为80 pF

3 场效应管的主要参数及选用： 　　为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。 表1　场效应管主要参数及含义 　　场效应管的选用应注意以下几点。 　　(1) 场效应管的I D 的参数按电路要求选取，能满足功耗要求并略有裕量即可，不要认为越大越好，I D越大，C GS 也越大， 对电路的高频响应及失真不利，如I D 为2 A 的管子，C GS 约为80 pF