以真空蒸镀法在K9基底上制备了TeOx单层薄膜.采用特定的定位方法,使用原子力显微镜对不同记录功率下薄膜中短波长静态记录点(514.5nm)的结构进行了分析.实验结果表明薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1.5mW时就可产生较高的反射率对比度.记录点具有明显的凹陷和凸起结构,随着记录功率的提高,凹陷和凸起增强,记录点增大.记录点的形态结构和记录前后反射率对比度是直接相关的.研究揭示了原子力显微镜在提高薄膜存储特性如信噪比、存储密度等方面的分析功能.