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  1. 城市之宝htv903f+avl1108+av2020+双晶+10芯的26号以后的刷机文件

  2. 城市之宝htv903f+avl1108+av2020+双晶+10芯的26号以后的刷机文件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：chuanhua44

  1. 7.13 正版秋 2023 3102 5812 双晶 10芯 crflash.bin

  2. 正版秋 2023 3102 5812 双晶 10芯 crflash.bin

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-03-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yjk1205

  1. ABS-208 A003_ NEC61216＋AV1108+GST18R高频头 双晶振 4M闪存3月3日以后

  2. ABS-208 A003_ NEC61216＋AV1108+GST18R高频头 双晶振 4M闪存3月3日以后...............................................

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-31
    • 文件大小：634880
    • 提供者：cskb_com

  1. 凯恩斯2088ABS+5812+3102E+2023E+双晶+10芯（密码：2+F2+4+蓝色+频道减+8）

  2. 凯恩斯2088ABS+5812+3102E+2023E+双晶+10芯（密码：2+F2+4+蓝色+频道减+8）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-04-18
    • 文件大小：1039360
    • 提供者：yoheng

  1. 卫星天线2023+3121+5812双晶10芯

  2. 2023+3121+5812双晶10芯2023+2023+3121+5812双晶10芯3121+5812双晶10芯

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-07-15
    • 文件大小：229376
    • 提供者：LWQ13733260454

  1. matlab开发-在间隔内进行双晶选择

  2. matlab开发-在间隔内进行双晶选择。搜索间隔内的所有元素（以n元素的排序向量）。它以对数（n）运行。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-26
    • 文件大小：2048
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 具有化学势的O（N）和CP（N-1）模型的双晶格表示

  2. 我们在晶格上导出O（N）和CP（N-1）模型的双重表示。 就对偶变量而言，分配和在有限的化学势下也仅具有实数和正数的贡献。 因此，克服了常规制剂的复杂作用问题，并且可以在任意化学势下使用双变量蒙特卡罗模拟。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-23
    • 文件大小：337920
    • 提供者：weixin_38579899

  1. 解决SELEX–LHCb双魅重子冲突：内在的重夸克产生和超对称光前全息QCD的影响

  2. 在本文中，我们证明了在大$ x_F $$ xF下重生成强强子的内在重夸克QCD机制可以解决通过SELEX固定目标实验和LHCb实验测量的双魅力重子的明显冲突 在大型强子对撞机上。 我们证明实际上这两个实验都是兼容的，而且两者都是正确的。 双晶强子的观测光谱与超对称光前全息QCD的预测一致。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-31
    • 文件大小：431104
    • 提供者：weixin_38610870

  1. 定向凝固汇聚双晶竞争生长的反常淘汰

  2. 定向凝固汇聚双晶竞争生长的反常淘汰，宇红雷，李俊杰，本文利用透明模型合金丁二腈-丙酮（SCN-Ace）研究了定向凝固条件下汇聚双晶竞争生长行为，实验发现，随着汇聚枝晶彼此靠近，晶界处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：697344
    • 提供者：weixin_38741101

  1. X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用

  2. X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用，关志强，唐吉龙，X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段，广泛应用于半导体薄膜，超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-17
    • 文件大小：856064
    • 提供者：weixin_38673235

  1. 单入口双阀压电反推泵的试验研究

  2. 单入口双阀压电反推泵的试验研究，李博，李立安，以双晶面圆形压电振子为驱动原件，设计了三种不同吸水方式的单入口双阀压电反推泵，分析了三种不同吸水方式的压电反推泵的输出能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-30
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38734361

  1. 用精确电场和等效电路法计算压电双晶片梁的等效电容

  2. 用精确电场和等效电路法计算压电双晶片梁的等效电容，江山，廉紫阳，本文用精确电场法建立了压电双晶片梁的五端等效电路模型，给出了三种边界条件下的导纳公式，由导纳进一步得到了等效电容及其在基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：541696
    • 提供者：weixin_38620893

  1. HTV903+AVL1108+M88TS2000双晶10芯自编(密码0000)

  2. HTV903+AVL1108+M88TS2000双晶10芯自编(密码0000) 中九bin ，请核对好芯片型号在下载。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-05-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：lllyyyjjj555

  1. ABS-S1.15 Hi2023E+AVL1108+RDA5812+双晶+6芯+5针密码999999

  2. ABS-S1.15 Hi2023E+AVL1108+RDA5812+双晶+6芯+5针密码999999

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：dezhily

  1. 低成本实现精确泽良并且能计算协调输出等信号的双晶片

  2. 根据SAEJ2716 rev. 4，新的双晶片霍尔效应传感器HAR 379x带有PWM输出和SENT协议以小尺寸的SOIC8封装，为对安全要求严苛汽车和工业应用提供优秀的角度测量性能和功能冗余性我们将于2018年6月26日至28日在德国纽伦堡传感及测试展1号厅204展位上展示HAR 379x

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38706824

  1. 一种双晶体管正激有源钳位软开关电源的设计

  2. 本文介绍的双晶体管正激有源钳位开关电源同时拥有单晶正激有源钳位和双晶正激两者的优点，适合于高压中大功率应用，并且磁芯得到有效的复位，磁芯利用率得到提高，占空比可以超过0.5，甚至可以达到0.7。供读者参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38703906

  1. 奥视通OST-168GK6105S-T高频头V2028双晶6线15E.bin

  2. 奥视通OST-168GK6105S-T高频头V2028双晶6线15E.bin签: 户户通25Q64数据

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-31
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：WAN616850720

  1. 低温下可控的铜膜中大规模成纳米孪晶的形成

  2. 通过低温快速退火，发现在冷却开始时在铜膜中发生突然的热应力松弛，这极大地增加了双晶核化和生长的驱动力。 因此，在低至300°C的温度下，在晶圆级的镀铜膜中成功生产了高密度纳米孪晶（nt），这远低于常规Craft.io（550°C以上），使其与半导体完全兼容。行业。 这种增强的退火Craft.io不仅为大规模无空隙的nt-Cu合成以及半定量可控的孪晶间距提供了一种经济有效的方法，而且证明了不显眼的退火纳米孪晶在微电子学应用中的前景和意义。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38672840

  1. KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量

  2. 本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10-4nm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：889856
    • 提供者：weixin_38550834

  1. YBa2Cu3O7-δ双晶结中跨不同电流倾斜的晶界上的临界电流密度行为

  2. YBa2Cu3O7-δ双晶结中跨不同电流倾斜的晶界上的临界电流密度行为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：497664
    • 提供者：weixin_38632006
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