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  1. 双极型IC版图设计规则

  2. 一些双极型版图设计时的规则，如果有兴趣，可下下来看看。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-14
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：yhdqc

  1. 绝缘栅双极型功率管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)

  2. 　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-06
    • 文件大小：40960
    • 提供者：chming2004

  1. 双极型晶体管

  2. 微电子元器件的经典教程，详细的说明了双极型晶体管的工作区域和工作原理，而且讲得非常通熟易懂

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-05-17
    • 文件大小：502784
    • 提供者：zc09110011

  1. 电力双极型晶体管(GTR)详解 1

  2. 电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38701156

  1. 基于51单片机双极型PWM 的软件实现

  2. Keil C是基于标准C内核的第三方语言，利用它可以很方便高效地实现对C51系列单片机的高级编程。C51是目前使用最普遍的8位单片机，价格低廉。它与软件编程结合，可以比较方便地满足众多功能要求，甚至取代一些复杂的硬件电路，简化硬件设计，并提高系统的可靠性和降低成本。基于这个思想，本文提出了一种在C51单片机上软件实现相对复杂的双极型PWM 的新方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：195584
    • 提供者：weixin_38530115

  1. 双极型半导体三极管结构示意图

  2. 本文主要讲了一下关于双极型半导体三极管结构示意图，一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38706531

  1. 双极型半导体三极管ppt

  2. 双极型半导体三极管双极型半导体三极管双极型半导体三极管双极型半导体三极管

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-04-20
    • 文件大小：911360
    • 提供者：mardin1233

  1. 绝缘栅双极型晶体管的基础知识及应用

  2. 本文详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理及一般应用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38682242

  1. 什么是单极型晶体管和双极型晶体管？

  2. 本文主要简单介绍了单极型晶体管和双极型晶体管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38635682

  1. 双极型晶体管和场效应管基础知识

  2. 双极型晶体管和场效应管基础知识

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38738983

  1. 基础电子中的绝缘栅双极型晶体管的可靠性能解析

  2. 导读：近年来，开关电源已被越来越多的用户所采用，作为开关电源用的大功率开关器件IGBT以其独特的良特性，在各种电力电子装置中得到了广泛应用。而了解IGBT的可靠性能、检测及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。下面本文就对此进行了一一解析。 　　一、IGBT的简单介绍 　　绝缘栅双极型晶体管（简称“IGBT”）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 双极型步进电机的斩波驱动电路设计

  2. 设计了一款用于双极型步进电机的斩波驱动电路，采用可变增益放大器实现电流检测和角度细分以提高精度，采用新型低功耗功率放大电路降低芯片功耗，并采用0.35 μm BCD工艺，最高输出电压为35 V，驱动能力为±2.5 A。测试结果表明，负载电源静态电流为3.9 mA，功率管导通电阻不超过0.23 Ω，斩波电流误差小于8%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38662367

  1. 绝缘栅双极型晶体管的基础知识及应用

  2. 本文详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理及一般应用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38627769

  1. 基础电子中的双极型微电子技术简介

  2. 双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展，双极型工艺逐渐被MOS工艺所代替。在20世纪70年代，CMOS工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中，CMOS工艺有了很大的发展，但是双极型工艺始终没有较大的进步。由于双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低，在现代的超大规模集成电路中己经很少单独使用。但是，双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS工艺所达不到的。在某些情况下，作为CMOS工艺的补充，双极型工艺仍然被少量地使用。 　　双极型三极管是双极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38697471

  1. 基础电子中的单极型集成电路和双极型集成电路有什么区别

  2. 在集成电路分类中有一种说法就是有双极型和单极型之分。所谓双极型和单极型主要指的是组成集成电路的晶体管的极性而言的。双极型集成电路是由NPN或PNP型晶体管组成。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此取名为双极型集成电路，就是人们平时说的TTL集成电路。 　　单极型集成电路是由MOS场效应晶体管组成的。因场效应晶体管只有多数载流子参加导电，故称场效应晶体管为单极晶体管，由这种单极晶体管组成的集成电路就得名为单极型集成电路，就是平时说的MOS集成电路。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

  2. 报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异. 　 关键词： 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力 参考文献：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38526823

  1. 元器件应用中的双极型晶体管原理

  2. 虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 图1.18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射极，基极和集电极。基极总是夹在发射极和集电极之间。NPN管由N型的发射极，P型的基极和N型的集电极组成。类似的，PNP管由P型的发射极，N型的基极和P型的集电极组成。在这些简图中，晶体管的每个区都是均匀掺杂的矩形硅。现代的双极型晶体管稍微有点不同，但工作原理还是一样的。 图1.18中也画

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38500444

  1. 双极型晶体管I-V特性

  2. 双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。图1.21就是一幅典型的集成NPN管的曲线图。纵坐标表示集电极电流Ic，而横坐标是集电极－发射极电压Vce。在这同一个坐标中有很多曲线，每一条都代表了一个不同的基极电流IB。这一系列曲线就表明了双极型晶体管的许多有趣的特性。 在饱和区，集电极－发射极电压太低而使集电极－基极结稍微有点正向偏置。帮助少数载流子穿越集电极－基极结的电场仍旧存在，所以晶体管还处于导通状态。由于集电极－发射极电压太低所以晶体管中的Ohmic电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38562130

  1. PCB技术中的双极型电路的版图设计

  2. 说明：本节将18.2节的内容归纳在一起1. 版图设计过程2. 版图设计的准备工作3. 版图设计的一般规则4. 集成电路的设计规则5. 双极型IC中元件的图形设计6. 设计举例 版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图。 版图设计是制造IC的基本条件，版图设计是否合理对成品率、电路性能、可靠性影响很大，版图设计错了，就一个电路也做不出来。若设计不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38725531

  1. 电源技术中的一种新型双极型LDO线性稳压器的设计

  2. 一种新型双极型LDO线性稳压器的设计     随着电子产品的不断发展，电源管理解决方案不断追求高效率、小占位面积、低成本，这使得低压降（LDO，LowDropout）线性稳压器越来越受欢迎。应用于电池供电的产品中，低漏失电压特性保证了电池使用效率高，而且效率将随着电池电压的下降而上升；低静态电流特性保证了电池使用时间长。本文中设计的LDO线性稳压器，典型情况下100 mA负载时漏失电压为180 mV，静态电流为800μA，空载时漏失电压仅为5 mV，静态电流为35μA；而且设置了使能开关引脚，在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38660051
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