本书的特点是独特的设计方法，该方法可使读者一步一步地经历创建实际电路的过程，并能够分析复杂的设计问题。本书详细计论了容易被忽略的问题，同时有意识地谈化了双极型模拟电路，因为CMOS是模拟集成电路设计的主流工艺。本书适用于具有一定基础电子学背景知识的高年级本科生和研究生，这些知识主要包括：偏置、建模、电路分析和频率响应。本书提供了一个完整的设计流程图，使读者能够用CMOS技术完成模拟电路设计。

不错的介绍双极工艺的流程图，有需要的同学可以 下下来看看。。。

PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如图1所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。下面结合主要工艺流程来介绍双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。典型的PN结隔离的掺金TTL