随着工艺技术朝着90纳米以下转移，为了确保硅片的一次成功和可接受的量产良品率，对模型，工具和设计流程都提出了与以往明显不同的要求。为了充分考虑在制造过程中影响良品率的因素，如化学金属处理(CMP)、次波长光刻效应以及工艺变化敏感度，必须建立新的器件和互连模型，并进一步细化现有的器件和互连模型，以便对现有的设计方法进行扩充，创建更为精确的参数提取方法。 因为制造工艺效应对硅片电学性能的影响越来越大，所以在IC开发的早期阶段，设计者就需要对可制造性设计(DFM)技术的应用给予更多的关注。半导体厂