台面铟镓砷(InGaAs)探测器制备工艺包括n型InP欧姆接触和较好可靠性的延伸电极。采用Cr/Au作为n型InP欧姆接触, 通过传输线模型和俄歇电子谱(AES)研究了Cr/Au与n型InP在不同退火条件下的欧姆接触和界面结构, 实验表明Cr/Au在未退火条件下与n型InP形成较好欧姆接触, 退火条件的引入导致Cr/Au与n型InP欧姆接触恶化, 其原因是离子束溅射沉积的Cr中含有的Cr2O3在退火过程中O扩散进入Au层。采用未退火的Cr/Au作为n型InP欧姆接触和延伸电极实现了台面InGaA