进行了数值模拟，以预测射频的性能。 方向和 方向P + / N / N - / N +（单漂移区）4H碳化硅（4H-SiC）的冲击离子化雪崩时差（IMPATT）在d-带二极管操作频率。 我们观察到4H-SiC IMPATT二极管的输出性能对一维电流的晶体方向敏感。 仿真结果表明，方向4H-SiC IMPATT二极管由于其较低的电子和空穴电离速率而提供较大的击穿电压，并且由于其漂移区电压降（V D ）与击穿电压的比率较高而提供更高的DC-rf转换效率（ h ） （V B ）与方向的4H-SiC