图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）下的操作，它按照读／写／读这样的顺序进行存取。 　　图 同步双端口SRAM的存取操作示例 　　直流模式下的读／写操作，因为数据的输出是被一个个时钟前置的，所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。 　　首先，在最初的时钟上CE有效，器件处于被选择的状态。因为R／W为高电平，所以操作是读模式，而又因为ADS有效，因而将A0～A16作为所访问的地址进行提取。在这个例子中，是在下一个时钟中改变地址的，这只是希望