您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 扩频通信数字基带信号处理算法及其VLSI实现 PDF

  2. 第1章 绪论 1. 1 引言 1. 2 扩频通信的基本原理 1. 2. 1 理想通信系统的带宽和S/N的互换关系 1. 2. 2 潜在抗干扰理论 1. 3 扩频通信中的基本参数 1. 4 本书的结构 参考文献 第2章 伪噪声序列 2. 1 引言 2. 2 伪噪声序列的性质及其产生 2. 2. 1 伪噪声序列的性质 2. 2. 2 伪噪声序列的相关性 2. 2. 3 伪噪声序列的部分相关 2. 3 m序列 2. 3. 1 m序列的性质 2. 3. 2 m序列相关函数的波形及功率谱 2. 3. 3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2010-03-30
    • 文件大小:5242880
    • 提供者:j921y
  1. 万用表的使用方法技巧

  2.   1、测喇叭、耳机、动圈式话筒:用R×1Ω档,任一表笔接一端,另一表笔点触另一端,正常时会发出清脆响量的“哒”声。如果不响,则是线圈断了,如果响声小而尖,则是有擦圈问题,也不能用。   2、测电容:用电阻档,根据电容容量选择适当的量程,并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容正极。①、估测微波法级电容容量的大小:可凭经验或参照相同容量的标准电容,根据指针摆动的最大幅度来判定。所参照的电容不必耐压值也一样,只要容量相同即可,例如估测一个100μF/250V的电容可用一个100μF/25V的电容来
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2010-05-04
    • 文件大小:31744
    • 提供者:zrb1972
  1. John G.Proakis Masoud Salehi 通信系统工程

  2. 第1章 绪论 1.1 历史回顾 1.2 电通信系统的基本组成 1.2.1 数字通信系统 1.2.2 数字通信的早期工作 1.3 通信信道及其特征 1.4 通信信道的数学模型 1.5 本书的结构 1.6 深入学习 第2章 信号和系统的频域分析 2.1 傅里叶级数 2.1.1 实信号的傅里叶级数:三角傅里叶级数 2.2 傅里叶变换 2.2.1 实信号、偶信号和奇信号的傅里叶变换 2.2.2 傅里叶变换的基本性质 2.2.3 周期信号的傅里叶变换 2.3 功率和能量 2.3.1 能量型信号 2.3.
  3. 所属分类:3G/移动开发

    • 发布日期:2011-12-04
    • 文件大小:13631488
    • 提供者:icecliff
  1. CDMA2000同PN特性改造方案.ppt

  2. 详细介绍了同PN应用的场景,组网方案以及改造的方案,注意的要点
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2011-12-29
    • 文件大小:600064
    • 提供者:zbgreater
  1. 数字通信信号的参数估计与干扰技术研究

  2. 本文在前人工作的基础上,结合通信侦察和干扰的实际应用要求,主要讨论了常 见数字通信信号的调制参数估计和DS、混合SFH/DS扩频信号的扩频参数估计问题 以及针对FSK和PSK的干扰样式研究。所做的工作主要包括: 1、针对扩频、低截获抗干扰通信中,低信噪比下的载波估计问题,采用高阶循 环矩的一个子集,提出利用该组特定高阶循环矩导出的特定循环累积量来精确估计信 号载波的方法。对不同数字调制ASK、FSK、PSK、QAM和MSK,分别计算了其特 定循环累积量,并证明其仅在循环频率等于载波频率时不为零
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-01-06
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:guangyu99
  1. 2011CM库查询同PN和伪导

  2. 通过此代码,可以查询SQL中的PN和伪导频信息
  3. 所属分类:MySQL

    • 发布日期:2012-01-16
    • 文件大小:808
    • 提供者:teller0101
  1. 电子专业笔试题

  2. 模拟电路 1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代 数和恒等于零。电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压 的代数和恒等于零。 2、平板电容公式(C=εS/4πkd) 平行板电容器的电容 c 跟介电常数 ε成正比,跟正对面 积成 s 正比,跟极板间的距离 d 成反比,其中式中的 k 是静电力常量。(未知) 3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 即晶体三极管的伏安
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-03-27
    • 文件大小:233472
    • 提供者:huangshuisheng
  1. 基础背包问题和01背包问题

  2. 1)一个简化的背包问题:一个背包能装总重量为 tota1_m,现有 n 个物件,其重量分别为(W1、W2、…、Wn)。问能否从这 n 个物件中挑选若干个物件放入背包中,使其总重量正好为 T ?若有解则给出全部解,否则输出无解。 1)输入要求:从键盘输入依次输入n种物体的重量w1、w2、…、wn和价值p1、p2、…、pn,输入背包总重量T。重量和价值在同一行。 2)功能要求:一个背包能装入物品的总重量为T,现有n种物品,每种物品若干件,每种物品的重量分别为w1、w2、…、wn,且每件对应的价值分
  3. 所属分类:C++

    • 发布日期:2012-06-29
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:daylight_1
  1. SP8M3 N-P开头型MOS

  2. 电源类,开关控制类器件,P沟MOS和N沟MOS合为一起的双MOS管。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2013-04-17
    • 文件大小:141312
    • 提供者:lddr520
  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2008-09-15
    • 文件大小:210944
    • 提供者:noraml
  1. 模拟电子技术基础11111111111

  2. PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 半导体二极管同PN结一样具有单向导电性。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-09-24
    • 文件大小:599040
    • 提供者:liquan0509
  1. PN结的基本原理PPT.pdf

  2. 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:830464
    • 提供者:weixin_38743506
  1. 电荷群作用产生无偏二极管的PN结

  2. 电荷群作用产生无偏二极管的PN结,吴翔,,徐业林制得一种特殊结构二极管,称其为“无偏二极管”。从表面上看,该管结构中只有一种半导体物质,没有通常意义的P型、N型或同�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-13
    • 文件大小:197632
    • 提供者:weixin_38525735
  1. PN结工作原理相关知识

  2. pn结 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后,由于N型半导体区内的电子
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-14
    • 文件大小:189440
    • 提供者:weixin_38704284
  1. 模拟电路中PN结原理

  2. 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-21
    • 文件大小:89088
    • 提供者:weixin_38665122
  1. PN结

  2. 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-27
    • 文件大小:94208
    • 提供者:weixin_38663526
  1. 通信与网络中的同频数字直放站回波干扰消除器的设计

  2. 【摘要】针对无线同频直放站应用中急需解决的发送天线到接收天线之间的回波干扰问题,提出一种基于叠加PN 序列的回波消除方案,简要介绍了基于FPGA 的回波消除器的硬件设计,以及对回波消除直放站系统回波消除度测量的测试方案,并详细论述测试原理。测试结果表明,该回波消除直放站满足实际产品化要求。   1 引言   在无线通信网络中,直放站价格低廉,组网部署迅速方便,可消除网络覆盖盲点,延伸扩大基站覆盖范围,在网络优化等方面占有巨大优势,因而得到了广泛应用。   但同频直放站在工程应用中存在着转发
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-04
    • 文件大小:484352
    • 提供者:weixin_38512781
  1. 同文件夹内文本搜索器(vbs)

  2. 同文件夹内文本搜索器(vbs) [removed] <!– Dim fso, f, f1, fc,fn,s,uf1,ufn Sub B1_onclick fn=T1.value ” pn=mid(location.pathname,2,len(location.pathname)-14) ShowFolderList(
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-01
    • 文件大小:24576
    • 提供者:weixin_38501916
  1. 水热法制备掺磷p型ZnO纳米棒和ZnO纳米棒pn结LED

  2. 采用水热法制备了掺磷的ZnO纳米棒和ZnO纳米棒的同质结。 结构和光致发光(PL)表征表明P原子掺杂到ZnO晶格中。 在低温PL光谱中,观察到发射峰位于3.310 eV和3.241 eV,这可能分别归因于磷相关受体跃迁和供体-受体对跃迁的导带。 通过在未掺杂的ZnO纳米棒上生长的P掺杂的ZnO纳米棒合成ZnO同质结。 基于ZnO纳米棒p–n同质结的电流-电压(IV)测量显示出典型的半导体整流特性,其导通电压约为3.14 V,这意味着P的电导率 掺杂ZnO纳米棒可能是p -型导电性。 在室温下对该
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38743737
  1. 二极管的PN结介绍

  2. 纯净半导体中掺入微量的杂质元素,形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结,PN结具有单向导电性。   PN结形成   当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们的交界面处,由于两种半导体多数载流子的浓度差很大,因此P区的空穴会向N区扩散,同时,N区的自由电子也会向P区扩散,如图1所示。图中 虚线箭头
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38640242
« 12 3 4 »