采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 ℃,300 ℃,400℃和500 ℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300 ℃时,ZnO具有最佳择优取向,随着衬底温度升高,衍射峰半峰全宽减小,薄膜晶粒尺寸增大,400 ℃时,薄膜具有各向等大的晶粒尺寸。同时拉曼谱结果显示,薄膜内部的缺陷随衬底温度变化无明显差别,应力表现为张应力,400 ℃时应力最小,紫外发光峰在衬底温度为400 ℃