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  1. 哈密​​顿量形式的高自旋电荷。 I.玻色田

  2. 我们研究在规范形式内任意维数的反德西特背景下对称无质量高自旋场的渐近电荷。 我们首先详细分析旋转3的例子:我们以汉密尔顿形式投射弗朗斯达尔的行为,推导电荷,并在保证其有限性的规范变量上提出边界条件。 然后,我们将电荷的计算和边界条件的描述扩展到任意自旋。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-06
    • 文件大小:776192
    • 提供者:weixin_38663595