自上市以来，CMOS 单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对 THD+N 的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图 1a 所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS 晶体管为“开”，而 NMOS 晶体管为“关”。当放大器的

自上市以来，CMOS 单电源放大器就让的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对 THD+N 的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图 1a 所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS 晶体管为“开”，而 NMOS 晶体管为“关”。当放大器的输入