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搜索资源列表

  1. 半导体光电子器件ppt

  2. 半导体光电子器件的课件 主要介绍： 半导体光电子器件物理基础； 半导体光电探测器； 半导体光电池； 半导体电荷耦合器件（CCD）； 半导体激光器（LD）； 半导体发光二极管（LED）。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-14
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：Vernacular

  1. 刘恩科--半导体物理

  2. 多个在读太阳能专业的朋友推荐，半导体基础必备

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-16
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：moruace

  1. 半导体器件物理基础.rar

  2. 半导体器件物理基础.rar半导体器件物理基础.rar

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-06
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：hn_yz_laojiang

  1. 半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础

  2. 半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-12
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：Yourwei

  1. 半导体器件物理3章平衡半导体

  2. 半导体器件物理3章平衡半导体 IC设计 物理基础知识

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-28
    • 文件大小：563200
    • 提供者：jasonxzy

  1. 半导体器件物理5章半导体P-N结

  2. 半导体器件物理5章半导体P-N结 IC设计 物理基础知识

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-28
    • 文件大小：315392
    • 提供者：jasonxzy

  1. MOS器件的物理基础

  2. MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-22
    • 文件大小：860160
    • 提供者：dx5026765

  1. 半导体物理 施敏著 课后答案

  2. 学习微电子的同学 半导体是必学的 集成电路的基础 加油喽 专业课呢 很重要

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-01-05
    • 文件大小：918528
    • 提供者：kanyuecheng

  1. 第2章 章 MOS 器件物理基础

  2. 从AIC设计者角度，看器件物理；本讲 只讲授 设计者角度，看器件物理；本讲 只讲授MOS 器件物理基础知识 ? 理解MOS 管工作原理 ?

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-05-08
    • 文件大小：922624
    • 提供者：znli8102310

  1. 现代半导体器件物理

  2. 由于半导体器件是电子工业的基础，因此，对于电气和电子工程，应用物理和材料科学专业领域的学生来说，了解器件的工作原理是非常重要的。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-08-09
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：zylap

  1. ch2 MOS器件物理基础

  2. ch2 MOS器件物理基础(模拟CMOS集成电路设计2012年上）.pdf

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-08-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yestare66

  1. 半导体器件物理基础【曾树荣】

  2. 北大老师编的关于半导体器件物理的书，经典啊！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-01-06
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：feynmancgz

  1. 半导体器件物理学习指导

  2. 本学习指导是微电子专业的理论基础课程，内容涵盖了半导体物理基础，PN结，双极半导体器件、。。。光电子器件等。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jingmeng1503

  1. 模拟CMOS集成电路设计（拉扎维）答案

  2. 涵盖以下章节答案： 第1章 模拟电路设计绪论 第2章 MOS器件物理基础 第3章 单级放大器 第4章 差动放大器 第5章 无源与有源电流镜 第6章 放大器的频率特性 第7章 运算放大器 第8章 稳定性与频率补偿 第9章 带隙基准 第10章 开关电容电路导论 第11章 版图与封装

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-04-11
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：qq_39000495

  1. 半导体器件物理.zip

  2. 考研学习半导体器件物理学习资料，里面包含PPt等一些参考学习内容，希望能够帮助大家。里面有半导体器件物理基础概述，1-24个PPT内容完整包括在内

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-05-21
    • 文件大小：36700160
    • 提供者：CQQ321

  1. 半导体器件物理

  2. 主要讲述半导体器件物理相关基础知识、原理以及应用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-04-28
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：u014771704

  1. MOS器件物理基础

  2. MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-11-16
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：u012099473

  1. 基于器件物理特性的晶闸管阀串联机制系统化研究

  2. 高压晶闸管阀的串联应用一直缺少系统化的理论指导 也常常忽略了器件本身的物理特性 为适应我国电力工业新的发展战略的需要 推进电力电子装置可靠性研究 文中对柔*流输电(FACTS)和高压直流输电(HVDC)装置高压晶闸管阀的串联机制进行了深入系统的研究 分析了晶闸管阀串联运行所涉及各个相关环节的物理过程 结合晶闸管本身的物理特性建立相应的数学模型 尤其是建立了包含晶闸管自身恢复电流特性的反向恢复数学模型 对各个元件参数的影响及相互关系进行分析 推导出安全运行所需的边界条件 从而在理论的层次上将晶闸

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-11-23
    • 文件大小：413696
    • 提供者：dongbo1051

  1. 显示/光电技术中的SEED智能像素器件的物理基础

  2. 随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶 格量子阱结构卩引。在量子阱中，由于电子的平均自由程大于势阱的宽度，将产生量子尺寸效应，态密度由体材 料的连续抛物线形变成量子阱中的台阶形，台阶形态密度分布使注入量子阱中电子、空穴能量分布更为集中，大 大提高了注入载流子的利用效率，由于量子阱材料吸收带边比体材料要陡直得多，因而吸收损耗系数至少降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38625464

  1. 最小二乘法求解非线性方程的物理偏振参量测量

  2. 提出了基于最小二乘优化系统的估值方法测量求解光器件物理偏振参量。对于输入偏振态可测或非可测的系统，在建立相应的估值解析方程和适当的测量条件基础上，此测量方案均是简单易行的。对以旋转波片为偏振发生器的测量系统的估值误差进行了仿真和分析。仿真表明，选取较多的测量次数，且旋转波片延迟为3π/4附近时，可得到较小的估值误差。基于系统估值算法，针对输入偏振态可直接测量的情况建立了实验系统并进行估值。实验表明，估值得到的物理偏振参量的标准差在0.0011～0.0103内。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38553681
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