Higgsinos和Wino有强烈的动机成为超对称的暗物质（DM）候选者，但是他们的cross灭截面非常大。 对于热发电和单组分DM装置，希格诺斯或Wino的质量分别约为1或2-3 TeV。 对于此类DM候选物，少量的slepton共an灭可能会降低有效的DM ation灭横截面。 这样又将满足DM的质量的遗迹密度的下限降低了50％以上。 对于夸克co灭，也可以看到几乎相同程度的相同极限值降低。 但是，相反，对于近乎简陋的夸克和希格西诺DM，在其通用上限附近，相关的an灭可能会降低文物密度，从而