在自旋-0 s通道暗物质（DM）简化模型的框架中，我们重新评估了与大型夸克相关的未来大型强子对撞机运行对DM生产的敏感性。 我们考虑两个不同的缺失横向能量（ET miss）特征，即与att¯$$ t \ overline {t} $$对或顶夸克和W玻色子相关的DM的产生，后者的通道尚未 在进行这项工作之前，需要进行专门分析的重点。 研究了具有两个轻子的最终状态，并制定了同时考虑两个通道的现实分析策略。 与其他现有搜索策略相比，拟议的tt + ET错失$$ $$ t \ overline {t}