希格斯衰变以规范玻色子对是研究希格斯性质的关键因素，其中衰变H→γγ对新的物理效应特别敏感。 假设所有潜在的新物理学都发生在远远超过弱尺度的能量上，则可以根据标准模型有效场论（SMEFT）的系数来参数化与标准模型预测的偏差。 当SMEFT系数的实验极限达到百分之几的准确度时，必须进行超出SMEFT最低阶的预测才能使理论和实验准确度相匹配。 本文完成了一个对H→VV'，V = W±，Z，γ的单环电弱SMEFT校正的计算程序。 对H→W +W-γ的实际贡献的计算是通过将两个回路的振幅映射到三体相空间