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  1. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2014-12-30
    • 文件大小:312320
    • 提供者:tangqijia
  1. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定 MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-25
    • 文件大小:116736
    • 提供者:weixin_38715879
  1. 电源技术中的介绍在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机的电源换代,进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域,程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源,更促进了开关电源技术的迅速发展。开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关晶体管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:336896
    • 提供者:weixin_38623442