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  1. 场效应管的特点

  2. 本文简单总结几点场效应管的特点及作用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38516190

  1. 场效应管在电路中如何控制电流大小

  2. 场效应管的概念 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：230400
    • 提供者：weixin_38711369

  1. 场效应管放大电路的直流偏置电路

  2. 什么是偏置电路晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。场效应管偏置电路场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38545517

  1. 场效应管的特点及作用

  2. 场效应管的特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管的作用 1.场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38663452

  1. 场效应管与晶体管的比较

  2. 场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 （2）场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。 （3）场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。 （4）场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅—

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38698927

  1. 场效应管放大电路的识图方法

  2. 本文主要介绍了 场效应管放大电路的识图方法，重点掌握场效应管放大电路的结构及功能特点，能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号经过放大电路后的输出状态

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38589168

  1. 场效应管恒流源特性特性分析与研究

  2. 场效应管恒流源特性的分析与研究，详细介绍了结型场效应管的特点，原理，以及对场效应管恒流源的分析与研究

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-04-10
    • 文件大小：838656
    • 提供者：zj02085035

  1. 基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计

  2. 专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道增强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：187392
    • 提供者：weixin_38740827

  1. 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

  2. 功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。 　　(a)N沟道类型：(b)P沟道类型 　　图 功率MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计

  2. 1 引言 　　长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。 　　特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的发展，以及脉宽调制(PWM)直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：145408
    • 提供者：weixin_38654415

  1. 元器件应用中的MOS场效应管基础知识讲述

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38743076

  1. 基础电子中的场效应管放大器实验原理

  2. 场效应管是一种较新型的半导体器件，其外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性截然不同。普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的日的，即信号源必须提供一定的电流才能I作。因此，它的输入电阻较低，仅有几千欧。场效应管则是电压控制元件。它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109～1010Ω，这是它的突出特点。此外，场效应管还具有热稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小等优点，所以现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：129024
    • 提供者：weixin_38604620

  1. 基础电子中的小功率场效应管的介绍

  2. 小功率场效应管具有输入电阻极高、驱动电流小、噪声低等特点，适用于前置电压放大、阻抗变换电路、振荡电路及高速开关电路。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：15360
    • 提供者：weixin_38621870

  1. 基础电子中的功率型场效应管的介绍

  2. V-MOS功率型场效应管具有开关速度快、导通电阻小、输入阻抗高、耐压高及驱动功率小等特点，且有安全工作区宽、过载能力强及热稳定性好等优点，在功率放大、电机调速、开关电源等领域有着广泛的应用。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38646706

  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）

  2. 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆，因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表：小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 模拟技术中的MOS场效应管

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38562392

  1. 基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计

  2. 以N沟道增强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-01
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38734269

  1. 肖特基二极管与场效应管有什么区别？

  2. 肖特基二极管自从替代传统的普通的二极管后受到了用户的的青睐和喜欢，但是有些时候也会有傻傻分不肖的时候，肖特基二极管和场效应管有什么区别？ 　　肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路；场效应管是三极管，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。 　　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。 　　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38743481

  1. IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：122880
    • 提供者：weixin_38688820

  1. 如何区分场效应管和肖特基二极管?

  2. 肖特基二极管自从替代传统的普通的二极管后受到了用户的的青睐和喜欢，但是有些时候也会有傻傻分不肖的时候，肖特基二极管和场效应管有什么区别? 　　肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路;场效应管是三极管，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。 　　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。 　　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188416
    • 提供者：weixin_38688890
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