对埋沟电荷耦合器件(CCD)的势阱形成机理进行了描述。基于泊松方程求解, 通过计算埋沟CCD信号电子进入势阱后填充的耗尽区大小, 得出了埋沟CCD电荷处理量的计算公式, 同时得出了埋沟CCD所需的最佳驱动脉冲。分析计算了埋沟结深、衬底掺杂等对CCD最佳工作点及最大电荷处理量的影响。根据理论计算, 设计制作的6000元线阵CCD信号处理量达到了4643 e/μm2。