本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的新型CMOS基准。该设计充分利用CMOS器件高输入阻抗、低功耗的特点，利用相同电流减少了载流子迁移率对温度性能的影响，利用VRHN和VTHP温度系数抵消原理和高电源抑制比和式电流源，大大降低了基准的温度系数，提高了电源抑制特性，使电路的性能得到优化。