研究了编程/擦除（P / E）循环对65 nm节点NOR闪存中漏极干扰的影响。 结果表明，漏极干扰源于在编程操作中由带对隧道效应（BBT）引起的热空穴注入（HHI）。 随着循环的增加，由于在隧穿氧化物中循环期间产生的负陷阱和界面，漏极干扰变得更加严重。 研究了新鲜电池和循环电池排水干扰前后的1 / f噪声，以支持上述结论。