超高晶体管密度和不断增加的工作频率导致更严重的电源完整性问题，基于FSDB的门级向量进行仿真可实现更精确的分析结果。FSDB持续时间太长，在整个仿真周期内分析全芯片电源完整性是不切实际的，需解析其中实际案例覆盖率最高的时间段。本文所述方法基于电源完整性相关特征，通过多场景FSDB向量解析，提高IR-Drop和PowerEM违例覆盖率，实现更全面的电源完整性分析方案。