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  1. 基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计

  2. 采用低噪声增益可程控集成运算放大器 ,\ ^ " T和高频三极管! / ! ! # $和! / ! $ " )等器件设计了宽带直流放大器! 该 放大器具有增益可程控" 功率高" 频带宽" 带宽可选择等特点#输入级采用两级 ,\ ^ " T级联! 以提高增益控制范围$ 中间级采 用分立元件制作了高输出功率放大器! 输出级设计了两路通频带分别为"!)O+ H以及"!# "O+ H的低通滤波器实现带宽 的可预置! 通过) #单片机可以对放大器增益和带宽进行控制#此外对提高直流放大器的各种性能指标提出

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-05-14
    • 文件大小：259072
    • 提供者：wangchuwua

  1. 基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计

  2. 采用低噪声增益可程控集成运算放大器ad603和高频三极管2n2219和2n2905等器件设计了宽带直流放大器， 该放大器具有增益可程控、 功率高、 频带宽、 带宽可选择等特点。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-08-12
    • 文件大小：259072
    • 提供者：gh5235

  1. 射频与微波功率放大器设计

  2. 内容简介 　　这是本严谨的教程，它可帮助您缩短设计周期并改善器件效率。书中设计工程师Andrei Grebennikov告诉您如何与计算机辅助设计技术结合在一起进行分析计算，在处理与生产的过程中提高效率；使用了近300个详细的图表、曲线、电路图图示说明，提供给您所需要的、改善设计的所有信息。 　　本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧，以及有效地将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。它为电子工程师提供了几乎所有可能的方法，以提高设计效率和缩短设计周期。书中不仅

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2008-11-27
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：shanghai_007

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 13所16专集成放大器系列.pdf

  2. 射频微波器件文档资料，可以提供选型参考， 射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300kHz～300GHz之间。射频就是射频电流，简称RF，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。射频（300K-300G）是高频(大于10K)的较高频段，微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。睡 2-2.集成宽带放大器续上页 型号 频率范围 功率增益平

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-07-02
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：hqhl2012

  1. 基于毫米波管的北斗三号RDSS低噪声放大器设计

  2. 现有北斗信号接收机在S频段上低噪放方案，满足增益条件下噪声系数在1.5 dB～1.7 dB，噪声性能仍可进一步优化。方案基于NPN宽带硅锗射频晶体管工艺，设计了一款基于高带宽毫米波管芯的低噪声放大器。放大器采用两级共轭匹配实现电路噪声与增益的最佳平衡；并利用LDO电路线性稳压输出实现电源噪声最小化。经过ADS软件仿真、Altium designer制板及Agilent噪声分析仪的实测表明，其单级放大器噪声系数最低可达0.4 dB，在2.492 GHz频点下，方案最大增益为32 dB，对应的噪声系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：764928
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 基于LC巴伦的伪差分功率放大器设计

  2. 为了在局部热点区域实现系统容量的成倍提升，需要能支持高频、大带宽工作的无线网络基础设施进行超密集组网，采用GaAs HBT工艺设计出适用于5G微基站的4.8～5.0 GHz三级高增益、大输出功率放大器。利用伪差分结构来抑制接地寄生电感的影响，通过片外低损耗LC巴伦完成单端与差分对之间的转换，结合有源自适应偏置网络与RC负反馈电路，并应用宽带匹配与预失真补偿的方法，基于ADS仿真验证了在中心频点4.9 GHz处可实现35.8 dB的功率增益与33.5%的峰值功率附加效率，且工作频带内能输出不低于3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38705530

  1. 模拟技术中的基于AD603的直流宽带放大器设计

  2. 更多设计应用，敬请关注维库技术资料网 http://www.dzsc.com/data 　　直流宽带放大器可以对宽频带、小信号、交直流信号进行高增益的放大，广泛应用于军事和医用设备等高科技领域上，具有很好的发展前景。在很多信号采集系统中，经放大的信号可能会超过A/D转换的量程，所以必须根据信号的变化相应调整放大倍数，在自动化程度要求较高的场合，需要程控放大器的增益。AD603是由美国ADI公司生产的压控放大器芯片，具有低噪声、宽频带、高增益精度（在通频带内增益起伏小于等于1dB）的特点。压控输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：447488
    • 提供者：weixin_38653664

  1. 模拟技术中的基于MSP430的直流宽带放大器设计

  2. 摘 要： 以压控增益宽带放大器VCA810 为主， 配合低噪声高速运放OPA820ID 和高输出电压低失真运放TH S3091D,设计并制作一个基于超低功耗单片机MSP430F155 的5 V 单电源供电的宽带低噪声放大器。由单片机软件实现VCA810增益控制及输出波形幅值显示。电压增益为- 20~ + 60 dB 可调， 在最大增益下， 通频带为10 H z~ 10 M Hz, 负载50Ω情况下可输出峰峰值29 V 的电压。为解决宽带放大器的自激问题及减小输出噪声， 采用了多种形式的抗干扰措施

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38545923

  1. 基础电子中的 一种1～3 GHz无电感型宽带低噪声放大器设计

  2. 随着卫星通信、调频技术等相关技术的发展，对射频前端特别是低噪声放大器的工作频带提出了更高的要求，传统的窄带低噪声放大器越来越受到限制。低噪声放大器位于射频的最前端，根据通道噪声系数的理论，低噪声放大器的增益和噪声系数对整个射频通道的噪声系数起着及其重要的作用。基于CMOS 工艺的低噪声放大器经过多年的发展，其噪声系数及增益都已经达到了很高的水平，但是其大多需要采用无源电感器件来实现。众所周知，基于CMOS 工艺的电感不仅占用较大的芯片面积，而且其品质因数性能也通常不会超过10。同时在一些大规模应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38673798

  1. 模拟技术中的基于反馈技术的宽带低噪声放大器的设计

  2. 低噪声放大器是通信、雷达、电子对抗及遥控遥测系统中的必不可少的重要部件，它位于射频接收系统的前端，主要功能是对天线接收到的微弱射频信号进行线性放大，同时抑制各种噪声干扰，提高系统的灵敏度。特别是随着通信、电子对抗、微波测量等向着宽频带、低噪声、小型化方向发展，放大器的低噪声和宽频带设计问题得到了越来越广泛的重视。这里给出了一个50～300 MHz的低噪声宽带放大器的设计，该放大器在工作频段内具有优良的增益平坦度和噪声系数，能提高接收机的灵敏度。 　　1 宽带实现和负反馈原理 　　宽带放大器设

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：242688
    • 提供者：weixin_38710557

  1. 模拟技术中的单片分布微波放大器的设计

  2. 分布式放大器能提供很宽的频率范围和较高的增益。有一段时间，其设计通常采用传输线作为输入和输出匹配电路。Bill Packard(惠普公司的创始人之一)早在1948年就在其论文中提出了基于分布式设计的真空管放大器电路。随着砷化镓(GaAs)微波单片集成电路的发展成熟，为了提高效率、输出功率、减小噪声系数，人们提出了很多种放大器电路类型，但是分布式放大器仍然是宽带电路(如光通信电路)的主流设计。理解砷化镓微波单片集成电路GaAs MMIC分布式放大器的设计，对很多宽带电路的应用都会有很大的帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：415744
    • 提供者：weixin_38698590

  1. 通信与网络中的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计

  2. 大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。 　　通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38559992

  1. 基于GaN器件的连续型高效宽带功率放大器设计

  2. 提出一种高效宽带功率放大器的设计方法,并基于Ga N HEMT器件CGH40010F设计了验证电路。利用功放管输出寄生参数的等效网络,将基于连续型功放理论得到的负载阻抗转换到封装参考面上,并利用多谐波双向牵引技术对转换后的负载阻抗进行适当调整,使二次谐波负载阻抗位于高效率区以及基频负载阻抗能够获得高功率附加效率和高输出功率。谐波阻抗位于高效率区使得匹配网络的设计简化为基频匹配网络的设计,降低了对谐波阻抗匹配的难度和宽带匹配网络设计的复杂度。实验结果表明:在1GHz~3GHz工作频带(相对带宽10

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：777216
    • 提供者：weixin_38554781

  1. 高效率低谐波失真宽带功率放大器设计

  2. 基于连续型功率放大器理论,提出一种高效低谐波失真宽带功率放大器的设计方法,并采用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件设计了验证电路。结合连续型功率放大器理论和多谐波双向牵引技术,找到一簇最佳负载阻抗值,并运用切比雪夫低通滤波器形式的阻抗变换器设计宽带匹配网络。偏置电路采用双扇形开路微带线和滤波电路相结合的方法进行设计,以减小电路尺寸和扩展具有高输入阻抗偏置电路的带宽。实验结果表明,在1.7~2.7 GHz工作频带内,功率附加效率为50%~60%,输出功率大于4 W,增益为(14±0.9)dB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38601103

  1. 基于FDTD方法的光子晶体光纤色散特性分析

  2. 基于电磁场时域有限差分法(FDTD)计算光子晶体光纤(PCF)的方法, 分析了运用该方法时需要注意的一些问题, 特别是关于晶格位置、晶格上各个电磁场分量的分布以及完全匹配层(PML)中在边界处的电磁场的处理。以此为理论依据分析了一种纯石英材料双层芯PCF, 对这种光纤的传输特性进行了详细的数值模拟。通过调整光纤的结构参数, 设计出大负色散值的宽带色散补偿光子晶体光纤(DCPCF)。数值模拟结果显示在1530～1565 nm波长范围内其色散值在-400和-600 ps/(km·nm)之间变化, 达

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：887808
    • 提供者：weixin_38606076

  1. 基于宽带高增益的放大器设计

  2. 文中介绍了一种基于集成运算放大器实现的宽带高增益放大器，本系统创造性地利用两级宽带运放VCA822压控放大，宽带运算放大器OPA690输出，完成了一个通频带50 kHz~40 MHz，增益0~68 dB可调的宽带高增益放大器。放大器噪声小，通频带范围宽，最大放大倍数大，后级加入了开关手动切换的自动增益控制电路模块，自制电源降压模块。系统采用多种方式消除了高增益，高频自激。放大器输入输出阻抗均为50 Ω，方便和前后级电路匹配。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-29
    • 文件大小：795648
    • 提供者：weixin_38737630

  1. 一种1～3 GHz无电感型宽带低噪声放大器设计

  2. 随着卫星通信、调频技术等相关技术的发展，对射频前端特别是低噪声放大器的工作频带提出了更高的要求，传统的窄带低噪声放大器越来越受到限制。低噪声放大器位于射频的前端，根据通道噪声系数的理论，低噪声放大器的增益和噪声系数对整个射频通道的噪声系数起着及其重要的作用。基于CMOS 工艺的低噪声放大器经过多年的发展，其噪声系数及增益都已经达到了很高的水平，但是其大多需要采用无源电感器件来实现。众所周知，基于CMOS 工艺的电感不仅占用较大的芯片面积，而且其品质因数性能也通常不会超过10。同时在一些大规模应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38680475

  1. 基于MSP430的直流宽带放大器设计

  2. 摘 要： 以压控增益宽带放大器VCA810 为主， 配合低噪声高速运放OPA820ID 和高输出电压低失真运放TH S3091D,设计并制作一个基于超低功耗单片机MSP430F155 的5 V 单电源供电的宽带低噪声放大器。由单片机软件实现VCA810增益控制及输出波形幅值显示。电压增益为- 20~ + 60 dB 可调， 在增益下， 通频带为10 H z~ 10 M Hz, 负载50Ω情况下可输出峰峰值29 V 的电压。为解决宽带放大器的自激问题及减小输出噪声， 采用了多种形式的抗干扰措施，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 凌力尔特宽带全差分放大器 能在较低频率下保持动态范围性能

  2. ADI 旗下凌力尔特公司推出一款具有 15dB 增益的宽带全差分放大器 LTC6432-15，该器件可提供高达 +50.3dBm OIP3 （输出三阶截取） 的线性度、非常高的 +22.7dBm OP1dB （输出 1dB 压缩点） 和 3.2dB 噪声指数 （在 150MHz）。除了其在高频条件下拥有的出色信噪比之外，它甚至在较低频率下也能保持其动态范围性能。这是因为和基于 GaAs 或 pHEMT FET 的放大器相比，LTC6432-15 先进的 SiGe 工艺双极型设计具有显着降低的 1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38735544
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