在这项工作中，主要基于基于溶液的合成方法制造了具有Ag / a-IGZO / ITO结构的存储器件。 具体地，通过旋涂IGZO墨水制备IGZO薄膜，并且通过喷墨印刷形成顶部Ag电极。 电气测量表明，Rorr / RoN比超过了两个数量级，并且器件的电阻可以保持高达105s，而不会劣化。