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  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 详细分析基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2010-07-12
    • 文件大小:172032
    • 提供者:y297374507
  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-28
    • 文件大小:58368
    • 提供者:weixin_38687218