基于迈克耳孙干涉仪的原理，采用共线自相关的测量方法，同时对强度自相关和二维电场自相关进行测量。对强度自相关的测量数据进行高斯拟合，得到所测脉冲时域内光强的半峰全宽约为96.2 fs；由CMOS图像传感芯片所测得的二维电场自相关中干涉条纹的分布情况，可以得到脉冲光斑波前相位的倾斜信息；通过对干涉条纹随时间延迟变化的漂移以及持续时间，采用傅里叶级数拟合分析手段，在延迟位移平台精度限制内，得到脉冲光功率谱存在微弱的1090 nm成分。