为了克服Kemp型弹光调制器调制效率低、加工工艺困难及体积大等缺点,提出了采用铌酸锂(LiNbO3)晶体压电弹光双效应的单晶体弹光调制器的设计思想;根据压电振动理论和晶体光学原理,分析了晶体各物理量随空间变换的特性,推导了调制电压-相位差-振幅之间的关系,并对晶体切型和通光方向进行了优化,所设计的晶体尺寸为41mm×7.7mm×17.1mm(x×y×z),切割角为0°(x切),通光方向z轴(光轴),通过在x-z面施加与晶体谐振基频一致的周期性电压,产生沿x方向,频率为73.71kHz的伸缩振动,

为了克服Kemp型弹光调制器调制效率低、加工工艺困难及体积大等缺点，提出了采用铌酸锂(LiNbO3)晶体压电弹光双效应的单晶体弹光调制器的设计思想；根据压电振动理论和晶体光学原理，分析了晶体各物理量随空间变换的特性，推导了调制电压相位差振幅之间的关系，并对晶体切型和通光方向进行了优化，所设计的晶体尺寸为41 mm×7.7 mm×17.1 mm（x×y×z），切割角为0°（x切），通光方向z轴（光轴），通过在x-z面施加与晶体谐振基频一致的周期性电压，产生沿x方向，频率为73.71 kHz的伸缩振