注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性

  2. 本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38503233