为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求，对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中，需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的隔离深槽，并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成，需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此，采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索，并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。