通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)和多值存储原理的研究，提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器，并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储；其次结合读写共用的单端口方法，减少互连线数量；然后采用隔离和切断交叉耦合技术，增强三值数据存储的稳定性；最后通过HSPICE仿真，结果表明所设计的电路逻辑功能正确，且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%