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  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. PE XMV660高压变频器样本.pdf

  2. PE XMV660高压变频器样本pdf,PE XMV660高压变频器选型参数介绍XMV660 at 4. 16kv and 6kv XMV660 at 3ky and 3.3k TRANSFOEME XMV660 at 2.3kV 本本本本本 INVERTER lAsk Icr avAlability to Powe EEclIcrics) PHASE TEANSFORMER INERTER INVERTER INERTER 「本 PHASE INVERTER NERTEH 本本本本本 FANS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计.pdf

  2. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计pdf,在现有的正弦波输出变压变频电源产品中，为了得到SPWM波，一般都采用双极性调制技术。该调制方法的最大缺点是它的6个功率管都工作在较高频率(载波频率)，从而产生了较大的开关损耗，开关频率越高，损耗越大。本实验针对正弦波输出变压变频电源SPWM调制方式及数字化控制策略进行了研究，以SG3525为主控芯片，以期得到一种较理想的调制方法，实现逆变电源变压、变频输出。三相桥式SPWM逆变电路设计 摘要: 随着电力电子技术的飞速发展,正弦波输出变压变频电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术研究

  2. IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：247808
    • 提供者：weixin_38645335

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术

  2. IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：247808
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 电源技术中的基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器

  2. 摘要：针对IGBT 驱动电路复杂且保护功能不尽完善的问题，设计了一个基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器，以及相应的前级驱动电路、 后级功率驱动电路和故障报警电路。该驱动器具有直接模式和半桥模式、驱动信号硬件互锁、硬件死区时间可调节、IGBT过流及短路保护、驱动电源过欠压监控和易于安装的特点。结合英飞凌EconoDUAL3封装IGBT模块，完成了即插即用型IGBT驱动器的硬件设计及调试，有效减小了双绞线传输方式寄生电容及寄生电感的影响。 　　IGBT具有耐压高、电流大、开关速度高和低

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：325632
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术

  2. 导读:  IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。        IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。 　　I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：193536
    • 提供者：weixin_38625599

  1. 电源技术中的基于PM50RSAl20的小型通用变频器实用电路设计

  2. 1 前言     变频器已应用于各行各业的多种设备,并成为当今节电,改造传统工业,改善工艺流程,提高生产过程自动化水平,提高产品质量,改善环境的主要技术之一。变频器技术是一种绿色技术,是国民经济和日常生活中普遍需要的新技术,也是国际上技术更新换代最快的领域之一。     开关器件是变频器的核心器件,绝缘栅双极型品体管(ICBT)投入市场以后,很快成为中小功率电力电子设备的主导器件,而且其电压、容量及开关频率性能还在提高。智能功率模块(IPM)集成了多个常规IGBT,为用户降低设计和生产成本提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：223232
    • 提供者：weixin_38613173

  1. 电源技术中的基于PM50RSAl20的小型通用变频器电路设计

  2. 1、前言 　　变频器已应用于各行各业的多种设备，并成为当今节电，改造传统工业，改善工艺流程，提高生产过程自动化水平，提高产品质量，改善环境的主要技术之一。变频器技术是一种绿色技术，是国民经济和日常生活中普遍需要的新技术，也是国际上技术更新换代最快的领域之一。 　　开关器件是变频器的核心器件，绝缘栅双极型品体管(ICBT)投入市场以后，很快成为中小功率电力电子设备的主导器件，而且其电压、容量及开关频率性能还在提高。智能功率模块(IPM)集成了多个常规IGBT，为用户降低设计和生产成本提供

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38725450