本文介绍了一种基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计方法。通过LTCC这种新材料与新工艺把无源器件内埋置到电路基板中，再选用合适的小封装器件与合理的电路拓扑结构，使电路的面积大大缩小，从而实现小型化、低成本之目的。

摘要： 分析了低温共烧陶瓷(LTCC) 的技术优势和低噪声放大器的工作原理， 介绍了该放大器的小型化设计与内埋置方法， 提出了一种合理的电路拓扑结构， 从而减少了电路的面积与元器件数量。为电路与系统的小型化与低成本设计提供一个参考。 　　0 引言 　　低温共烧陶瓷(LTCC) 技术是上世纪80年代中期出现的一种新型多层基板工艺技术， 低温共烧陶瓷(LTCC) 采用独特的材料体系， 故其烧结温度很低， 并可与金属导体共同烧制， 从而大大提高了电子器件的性能。 　　本文利用低温共烧陶瓷(LTC

摘要： 分析了低温共烧陶瓷(LTCC) 的技术优势和低噪声放大器的工作原理， 介绍了该放大器的小型化设计与内埋置方法， 提出了一种合理的电路拓扑结构， 从而减少了电路的面积与元器件数量。为电路与系统的小型化与低成本设计提供一个参考。 　　0 引言 　　低温共烧陶瓷(LTCC) 技术是上世纪80年代中期出现的一种新型多层基板工艺技术， 低温共烧陶瓷(LTCC) 采用独特的材料体系， 故其烧结温度很低， 并可与金属导体共同烧制， 从而大大提高了电子器件的性能。 　　本文利用低温共烧陶瓷(LTC