在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪配合使用。晶体管图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因晶体管图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，给理解其特性曲线带来了困难。为了降低实验成本，简化实验操作过程，采用虚拟仪器技术设计单结晶体管伏安特性测试仪，可以完整地显示其特性曲线，且方便于读取峰点与谷点的电压与电流值。

单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能，即负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构，故而应用十分广泛。了解单结晶体管的伏安特性曲线，是理解及设计含单结晶体管电路工作原理的基础。在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪两种设备配合使用，然而图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，这给理解其特性曲线带来困难。可以利用Multisi

基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试、电子技术,开发板制作交流

单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能，即负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构，故而应用十分广泛。了解单结晶体管的伏安特性曲线，是理解及设计含单结晶体管电路工作原理的基础。在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪两种设备配合使用，然而图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，这给理解其特性曲线带来困难。可以利用Multisi