移动电话的功能日益丰富，其对系统中数据存储容量的需求正在快速增长。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特点，在各种数码产品中得到了广泛 应用，在各种片上系统芯片中(SOC)集成NAND Flash控制器正成为一种趋势。 本文讨论了Flash Memory的两种主流实现技术即NAND Flash和NOR Flash 的特点和区别，分析了市场上存在的NAND Flash的典型规格及其存储结构特点， 阐述了不同NAND Flash器件一些通用的存取操作方式，近一步分析了进行这些 存取操

Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了设计大容量、高存储速度、易扩展的存储系统，本文通过分析理论存储速度，结合直接存储器访问（DMA）技术、交替双平面编程和流水线技术，设计了一种高效的高速存储体系结构。本文同时利用并行存储技术来提高存储速度。通过对此存储系统的存储速度进行分析，结果表明理论最高存储速度可以达到319.2 MB/s，在某弹载存储器中能实现200 MB/s的实际数据存储速度。