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搜索资源 - 基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
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硅衬底LED芯片主要制造工艺
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国家863计划项目“基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术”,经过近三年的研制开发,目前已通过科技部项目验收。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:182272
提供者:
weixin_38580959
基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:181248
提供者:
weixin_38569675
基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
0 引言 1993年世界上只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED技术,美国CREE公司垄断了S
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:217088
提供者:
weixin_38666753