针对低噪声放大器实际电路往往和仿真结果出入较大、调试困难等特征，以TRL校准件和芯片量测板为平台量测出芯片的S参数，通过和厂商提供的S参数比拟，在此基础上通过射频仿真软件设计出的低噪声放大器，在实际测试中和仿真结果比较接近，大大提高了低噪声放大器设计的效率和性能。最后以GPS和北斗为例，给出了实测和仿真的S参数Smith圆图比对结果。

针对低噪声放大器实际电路往往和仿真结果出入较大、调试困难等特征，以TRL校准件和芯片量测板为平台量测出芯片的S参数，通过和厂商提供的S参数比拟，在此基础上通过射频仿真软件设计出的低噪声放大器，在实际测试中和仿真结果比较接近，大大提高了低噪声放大器设计的效率和性能。最后以GPS和北斗为例，给出了实测和仿真的S参数Smith圆图比对结果。