注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. PN结工作原理相关知识

  2. pn结 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38704284

  1. 基础电子中的维库小知识：单结晶体管的识别与检测

  2. 1  单结晶体管的识别 　　1.1 单结晶体管的结构、外形及特点 　　单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件。它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b，和b，。在硅片中间略偏b，一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。单结晶体管的特性主要表现在具有正的温度系数和具有阻值负向变化的特点上。单结晶体管的结构、符号和等效电路如图1所示。 图1 单结晶体管的结构、符号及等效电路 　　常见单结晶体管的外形如图2所示。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 基础电子中的变容二极管驱动技巧

  2. 变容二极管主要用于射频电路中，通过调节电压提供可变的电容。这种二极管通常用于电路调节，例如无线应用中，无线麦克风和收音机中使用的射频振荡器和滤波器。电路设计师应当了解使用非易失数模转换器为变容二极管(作用相当于电压控制的电容器)提供偏置电压的好处。 　　变容二极管在反向偏置电压下运行，会在PN结附近形成耗尽区(depletion zone)。改变反向偏置的水平，就能改变耗尽区的厚度，从而影响二极管的有效电容。电压增加，电容就相应减小。 　　变容二极管有指定的标称电容值，以及最高最低电压水平控

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38672815

  1. 基础电子中的肖特基二极管原理和应用

  2. 一、肖特基二极管简介 　　肖特基二极管是德国科学家肖特基（Schottky）1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns以内）等优点。 　　应用特点：适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。 　　二、肖特基产品特性 　　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38503233

  1. 基础电子中的贴片二极管介绍及产品类型

  2. 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。   http://www.dz

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38538021

  1. 基础电子中的详解发光二极管原理

  2. 发光二极管是一种直接能把电能转变为光能的半导体器件。与其它发光器件相比，具有体积小、功耗低、发光均匀、稳定、响应速度快、寿命长和可靠性高等优点，被广泛应用于各种电子仪器、音响设备、计算机等作电流指示、音频指示和信息状态显示等。 　　一、发光原理　　发光二极管的管芯结构与普通二极管相似，由一个PN结构成。当在发光二极管PN结上加正向电压时，空间电荷层变窄，载流子扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴注入N区，N区的电子注入P区。当电子和空穴复合时会释放出能量并以发光的形式表现出来。　　二、种类和符

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：136192
    • 提供者：weixin_38696143

  1. 基础电子中的二极管测量CPU温度的原理解析

  2. 简介：一般来说，时钟频率跑的越快，则CPU每秒所能完成的运算次数就越多，性能自然更好，但是，随着时钟频率的增加，CPU就会变得越来越热，这是CPU内部CMOS管耗散功率加大的体现，过高的温度会影响系统的运行，所以有必要采取措施来“监控”CPU的温度，把它限制在一定温度范围内，以确保CPU的可靠运行。　　由于二极管制造工艺的特殊性，我们可以利用二极管的伏安特性来测量CPU的温度，它的伏安特性如下图： 　　众所周知，将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称为二极管。由P区引出

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38727567

  1. 基础电子中的二极管分类介绍

  2. 一、根据构造分类 　　半导体二极管主要是依靠pn结而工作的。与pn结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据pn结构造面的特点,把晶体二极管分类如下： 　　1、点接触型二极管 　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其pn结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38737176

  1. 基础电子中的半导体二极管的等效电路与开关特性

  2. 一、二极管的电容效应 　　二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。 　　1．势垒电容CB（Cr） 　　前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。 　　事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容"充电"。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38660359

  1. 基础电子中的晶体二极管的分类

  2. 一、根据构造分类 　　半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 　　1、点接触型二极管 　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38730840

  1. 基础电子中的单结晶体管原理

  2. 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 　　一、单结晶体管的特性 　　从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： 　　rbb=rb1+rb2 　　式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38733525

  1. 基础电子中的发光二极管封装结构及技术知识

  2. 1、LED封装的特殊性 　　LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。 　　LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：116736
    • 提供者：weixin_38590775

  1. 基础电子中的形形色色的光电器件

  2. 光电三极管和光电二极管在性能上有哪些不同呢?　　老师：光电三极管(图5)和光电二极管一样，也是光电导器件。光电三极管是NPN结构，但它的管芯基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收，并产生基极电流，根据三极管的电流放大作用，其集电极电流是基极电流的β倍。由于它充分利用了三极管的电流放大，光电流可以达到0?4～4mA(光电二极管的光电流仅为几十微安)，因此光电三极管具有更高的灵敏度。　　同学：我们在进行电子制作时，经常使用发光二极管，只是不太清楚它为什么会发光，为什么会有几种不同

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38741950

  1. 基础电子中的什么叫单向可控硅（晶闸管）-单向双向可控硅（晶闸管）工作原理

  2. 一、什么叫单向可控硅(晶闸管)-:单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　下为单向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号 　　二、双向晶闸管(可控硅)是什么:双向可控硅具有两个方向轮流导通、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 基础电子中的单向双向可控硅（晶闸管）结构原理图

  2. 一、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　单向可控硅结构和电路符号图 　　二、双向可可控硅（晶闸管）结构原理：双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38640443

  1. 基础电子中的IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏

  2. igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻，对于正常的igbt管（正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管正常时，e、c极间均有4kw正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kwl左右，则所测管为含阻尼二极管的igbt管，若

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38744694

  1. 基础电子中的发光二极管与普通二极管的不同之处

  2. 发光二极管与普通二极管一样也是由PN结构成的，也具有单向导电特性，它是采用磷化嫁 (GaP)或磷砷化镓(GaAsP)材料做成的。它与普通二极管的不同之处是能将电能直接转换成红、绿、黄、橙等单色光或多色光。　　　　发光二极管的体积都比较小，而且功耗也很小，同时还具有响应速度快、寿命长以及抗震等优点，故应用范围很广。目前在各种家用电器中的指示器件多数为发光二极管。　　　　发光二极管形状有圆形、矩形、方形等。其圆形发光二极管的外径可从φ2-φ20mm等各种规格，常用的有φ3mm、φ5mm等。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：27648
    • 提供者：weixin_38663452

  1. 基础电子中的二极管的PN结

  2. 二极管是一块P型半导体和一块N型半导体紧密地结合在一起而构成的。在它们的交界面上形成一个界面，这个界面就称PN结。如图3-47所示。在P型与N型半导体上各加上一根引线，然后进行封装，便构成一个二极管。其P型半导体的引线称"+"极，N型半导体的引线称"-"极。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图:二极管的PN结　　由于制做工艺的不同，二极管可分为点接触型和面接触型两类。点接触型二极管的结构如图所示。点接触型二极管由于金属触丝与半导体的接触面很小，故只能通过较小的电流，但能够在较高的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38718307

  1. 基础电子中的快恢复二极管

  2. 快恢复二极管的结构与普通二极管不同，它不是一个单一的PN结，而是在P型与N型硅材料中间增加了一个基区I，构成PIN硅层。这种结构的二极管，由于基区很薄、反向恢复电荷很少、故使该种管子的反向恢复时间大为减小，其值一般为几百纳秒以下。同时使它的正向压降较低，而使反向峰值电压得到提高，其值可达几干伏。　　快恢复二极管(FRD)的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小。广泛用于脉宽调制器、不剐断电源、开关电源、变频调速器等电路中，作为高频大电流整流、续流二极管应用。　　快恢复二极管的内部结构和外形如图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38731479

  1. 基础电子中的变容二极管的主要参数

  2. (1)结电容  它是指在一定的反向偏压下，变容二极管pN结的电容。　　　　(2)结电容变化范围  它是指反向偏压从零变化到某一值后时，结电容变化的范围。　　　　(3)最高反向电压  是指加在变容二极管两端的反向电压的最大值。使用时不能超过此值。　　　　变容二极管除以上参数外还有品质因数 (Q值)、反向击穿电压、截止频率等。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38675506
« 12 »