离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核发生碰撞，产生晶格空位，并通过自由载流子的补偿在周围形成高阻区，这样就可以使注入电流集中注入到有源区内，如图所示。 　　离子注入的能量是由离子的质量和注入深度要求所决定的。H＋，0＋，N＋和F＋都可以作为注入离子，其中应用最广泛的还是H＋。为了避免对有源区有过多的损伤，离子注入的深度一般都略高于量子阱的位置。 　　图所示的是一个详细

制作折射率导引型结构的VCSEL，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模（SiO2，SiNx），将光腔刻蚀成柱型，然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。 　　刻蚀／再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外，还可以对注入电流进行有效的横向限制，并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而，由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸