选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中，后来才被引入到VCSEL的制作中，如图1所示。其原理是将高A1组分的A1，Ga；￣，As在350～500℃下与水汽反应生成化学性质稳定、绝缘性能良好且折射率低的氧化层。由于这种结构对光子和电子都能进行有效的横向限制，因此得到了广泛的关注。 　　图1 半导体VCSEL选择氧化型 　　构造选择氧化型VCSEL，要预先设计好氧化后各层的组成及分布情况，以此来决定氧化的速率，而且希望在邻近谐振腔的AlGaAs层上能够得到大的氧化范围，即小的氧化孔径，如