单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能，即负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构，故而应用十分广泛。了解单结晶体管的伏安特性曲线，是理解及设计含单结晶体管电路工作原理的基础。在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪两种设备配合使用，然而图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，这给理解其特性曲线带来困难。可以利用Multisi

单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图。 　　判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 　　单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。 　　应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 　　一、单结晶体管的特性 　　从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： 　　rbb=rb1+rb2 　　式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电

1. 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示。 　　图1 交流可控硅调压电路原理方框图 　　（1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。 　　（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。 　　　（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。 　　　　（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。 　　（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 　　2． 可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图 　　图2 交流可控硅调压电路的原理图 　　3.