Bi-CMOS技术是一种将CMOS器件和双极型器件集成在同一芯片上的技术。由上述两节可知，双极型器件速度高，驱动能力强，模拟精度高，但是功耗大，集成度低，无法在超大规模集成电路中实现；而CMOS器件功耗低，集成度高，抗干扰能力强，但是速度低、驱动能力差。在当代的技术应用中，既要求高集成度又要求高速度，这是上述两种器件中任何一种单独的器件所不能达到的。Bi-CMOS技术综合了双极型器件高跨导和强负载驱动能力及CMOS器件高集成度和低功耗的优点，使这两者取长补短，发挥各自优点，是高速、高集成度、高性

MOS场效应晶体管是金属－氧化物－半导体场效应晶体管的简称，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 　　与双极型三极管不同，MOS晶体管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同，又

双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展，双极型工艺逐渐被MOS工艺所代替。在20世纪70年代，CMOS工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中，CMOS工艺有了很大的发展，但是双极型工艺始终没有较大的进步。由于双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低，在现代的超大规模集成电路中己经很少单独使用。但是，双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS工艺所达不到的。在某些情况下，作为CMOS工艺的补充，双极型工艺仍然被少量地使用。 　　双极型三极管是双极